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真空镀膜:用于制备硅单晶膜的CVD装置

* 来源: * 作者: * 发表时间: 2020-01-31 1:27:14 * 浏览: 12
图10-28示出了用于外延生长的硅单晶膜的简化的CVD设备。该器件在高温下在硅衬底上外延生长硅单晶膜。可以产生均匀的薄膜层,薄膜厚度为1mu,m〜2mu,m。